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据日经中文网报道，日本早稻田大学乘松航教授等人的研究团队，开发出了一种通过加热使半导体晶圆基板表面平整的方法，比传统研磨方法更便捷、性能更高，有利于改进半导体制造工序。

研究团队利用碳化硅晶圆基板进行实验，由于晶圆是通过将整体晶块切成薄片来制造的，因此截面上容易凹凸不平，不能直接使用。传统的方法是结合多种方式进行抛光研磨，但这会导致内部容易出现损伤、表面形成落差。

团队将经过机械研磨后的碳化硅基板在氩气和氢气保护下，加热10分钟，达到1600摄氏度，然后在1400摄氏度下保持一段时间。这时，表面达到了原子层面的平整。由于这种操作方式简单，只需加热即可，因此相比传统的多次抛光有利于缩短制造工时，并降低成本。

除了加工功率半导体材料碳化硅，这项技术还可以用于加工晶格构造相似的其它材料，如氮化镓、砷化镓晶圆。